[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010055754.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113140633B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 张清纯 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 于妙卓 |
| 地址： | 上海市杨浦区国权*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体区，设置在第一导电类型半导体层的第一表面内；第一导电类型半导体区，设置在第二导电类型半导体区内；漂移区，设置在第一导电类型半导体层的第一表面上，漂移区是第一导电类型；阱区，设置在漂移区内，且与第一导电类型半导体区接触，阱区是第二导电类型；栅极绝缘层，至少形成在阱区侧面，且与第一导电类型半导体区接触；栅极，设置在栅极绝缘层上；源极，设置在第一导电类型半导体区上。该半导体器件栅极绝缘层的尖角设置在第一半导体器件的上方，远离第一导电类型半导体层内的大电场，从而可以减小栅极绝缘层处的尖角电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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