[发明专利]磁存储器在审
| 申请号： | 202010057668.5 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244266A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;熊丹荣;彭守仲 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;孙乳笋 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磁存储器，包括：第一反铁磁层，用于提供交换偏置场；插入层，设置在反铁磁层上，用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散；自由铁磁层结构，设置在插入层上；第一势垒层，设置在自由铁磁层结构上；参考铁磁层结构，设置在第一势垒层上，具有固定的磁化方向；其中，自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。本发明具有退火温度高的特点，可以兼容CMOS后期热处理工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010057668.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于监控微波真空干燥的装置
- 下一篇：制冷设备及其化霜控制方法、装置
