[发明专利]一种屏蔽栅结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010057737.2 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244166A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅结构及其形成方法，形成于沟槽中的屏蔽栅多晶硅；屏蔽栅多晶硅侧壁及底部设有屏蔽栅介质层；覆盖于屏蔽栅多晶硅顶部和屏蔽栅介质层顶部的第二介质层；形成于第二介质层上的第二多晶硅；第二多晶硅侧壁设有栅介质层；形成于衬底上表面、栅介质层两侧的阱；阱的上表面两侧设有源极；阱与第二多晶硅上连接有金属。本发明沟槽中填充光刻胶后，由于靠近沟槽屏蔽栅多晶硅上方区域曝光不足，显影后沟槽中的光刻胶依旧保留，使得在沟槽侧壁的屏蔽栅介质层去除的过程中，沟槽中的光刻胶可以有效防止屏蔽栅介质层在沟槽侧壁的部分变薄，从而防止在第二介质层沉积时在屏蔽栅多晶硅侧壁形成空洞的现象，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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