[发明专利]一种测量功率器件C-V曲线的测量电路及其保护方法在审
| 申请号： | 202010059525.8 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111141962A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨鑫;丁毅飞;王紫茹;王俊 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R27/02;G01R31/00;G01R15/14 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410007 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测量功率器件C‑V曲线的测量电路，包括IGBT的三个端子，所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G，所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc，所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge，所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce；测量电路简洁易懂，有完善的保护电路，可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C‑V曲线，且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本发明不需要昂贵的测量仪器，仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单，并且设计有完善的保护电路，将高压和交流信号分开，能够保护仪器的功率器件，适用于高压测试场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 功率 器件 曲线 电路 及其 保护 方法 | ||
【主权项】：
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