[发明专利]基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010059560.X | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111180995A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 沈志强 | 申请（专利权）人： | 浙江博升光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 314116 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法，所述的基底转移垂直腔面发射激光器的结构包括：导电散热基板；金属黏贴层；垂直腔面发射器薄膜芯片。所述导电散热基板的第一面通过金属黏贴层粘接垂直腔面发生激光器薄膜芯片，所述导电散热基板的第二面及所述垂直腔面发生激光器薄膜芯片背离所述导电散热基板的一侧分别设置有连接电极，所述第一面与所述第二面为所述导电散热基板相背的两面。导电散热基板为导热性能优异的材料，利于垂直腔面发生激光器薄膜芯片散热。因此，本发明显著提高了垂直腔面发生激光器薄膜芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 转移 垂直 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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