[发明专利]一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010059700.3 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113140964B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;朱振;赵凯迪;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法，其中自下而上包括衬底、缓冲层、渐变下过渡层、下限制层、折射率反渐变下波导层、量子阱层、折射率反渐变上波导层、第一上限制层、模式扩展层、第二上限制层、腐蚀终止层、第三上限制层、上过渡层和帽层；本发明公开了一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法，对激光器结构进行优化，设计了反渐变波导层、模式扩展层等结构，能够在不损害垂直方向光限制因子的前提下扩展光场，从而实现较薄波导层时的近圆形光斑，使得光斑的纵横模比为1.5‑1.7，有利于AlGaInP半导体激光器的进一步应用；工艺设计合理，操作简单，具体较高的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 折射率 渐变 波导 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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