[发明专利]一种集成背光探测器的二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010060361.0 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244750B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 牛晓晨;陈硕;刘占元;黄杰;卢利锋;张梓平 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国网河北省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成背光探测器的二极管及其制备方法，该方法包括：在半导体外延片的正面形成预设图形的光波导；在半导体外延片正面的第一区域形成电隔离，得到吸收区；在半导体外延片正面的第二区域和第三区域形成第一电极，第二区域位于吸收区的一侧，第三区域位于吸收区的另一侧或吸收区的内部；在半导体外延片的背面形成第二电极，得到集成背光探测器的二极管。通过实施本发明，在半导体外延片上形成光波导结构，并采用电隔离的方式形成吸收区，从而可以使得吸收区两侧的区域形成发光区和探测区，进而实现器件发光功率的监测和控制。同时无需再次外延探测器材料，制作工艺简单，探测效率高，能够有效降低超辐射发光二极管发光功率监测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 背光 探测器 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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