[发明专利]一种屏蔽栅功率MOSFET结构及制作方法在审
申请号: | 202010060919.5 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN111261717A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 颜树范 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种屏蔽栅功率MOSFET结构及制作方法,形成于该沟槽中的屏蔽栅多晶硅;屏蔽栅多晶硅侧壁及底部设有屏蔽栅介质层;覆盖于屏蔽栅多晶硅顶部和屏蔽栅介质层顶部的第二介质层;形成于第二介质层上的第二多晶硅;第二多晶硅侧壁设有栅介质层;形成于衬底上表面、栅介质层两侧的阱;阱的上表面两侧分别设有源极;阱与所述第二多晶硅上连接有金属;源极上表面与第二多晶硅上表面的非金属区域覆盖有第三介质层。本发明在屏蔽栅功率MOSFET结构的制作过程中,使用非高密度等离子体介质层淀积搭配光刻胶填充方式,有效避免沟槽在高密度等离子体介质层淀积过程中顶角被损伤,并且本发明不使用高密度淀积厚,无需淀积后的化学机械研磨工艺,节约生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 功率 mosfet 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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