[发明专利]一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法

摘要

本发明公开了一种TOPCon电池的氧化硅和掺杂非晶硅的一体式镀膜方法，该发明为PECVD生长SiO2和反应式PVD生长不同掺杂浓度非晶硅的一体式镀膜方案，通过将现有的3个独立制造工序合并成一个一体式的工序，实现制造环节高度整合，减少生产工序，并能最大限度延长SiO2镀膜设备和载板的维护周期以提高在线生成利用率，有效避免了离子源、腔体内部、载板容易附着反应产物及伴有掉渣的问题，还可以避免使用难以制作的高浓度掺磷硅靶材并获得不同浓度的非晶硅膜层，从而有效降低TOPCon电池的生产成本。