[发明专利]一种相变材料结构、存储器单元及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010061430.X 申请日: 2020-01-19
公开(公告)号: CN111725397A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 宋志棠;宋文雄;赵进 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及微纳电子技术领域,本发明公开了一种相变材料结构,其包括第一材料层和第二材料层,该第一材料层设于该第二材料层上;该第一材料层的材料为包括钛(Ti)和碲(Te)两种化学元素的化合物,该该第一材料层的材料的化学通式为碲化钛(TixTey),其中,x、y为元素的原子百分比;该第二材料层的材料为锑(Sb)。本发明提供的相变材料结构具有阻碍锑(Sb)扩散和热稳定性好和相变速度快的特点。
搜索关键词: 一种 相变 材料 结构 存储器 单元 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010061430.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top