[发明专利]一种ZnO微米线异质结紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010061543.X | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111180558A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 阚彩侠;吴裕庭;姜明明;徐娟;周祥博 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/28 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO微米线异质结紫外发光二极管及其制备方法，该二极管包括p‑GaN衬底、n‑ZnO:Ga@AgNWs复合微米线、ITO导电玻璃、垫片，n‑ZnO:Ga@AgNWs复合微米线紧贴在p‑GaN衬底和垫片上，一端贴有金属颗粒电极，p‑GaN衬底上镀有合金电极，ITO导电玻璃压在位于p‑GaN衬底上的n‑ZnO:Ga@AgNWs复合微米线上；该二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)制备n‑ZnO:Ga@AgNWs复合微米线；(S2)制备p‑GaN/n‑ZnO:Ga@AgNWs异质结构；(S3)在p‑GaN衬底上制备合金电极；(S4)在n‑ZnO:Ga@AgNWs微米线上制备金属颗粒电极；(S5)在p‑GaN/n‑ZnO:Ga@AgNWs异质结构表面压合ITO导电玻璃，即得到ZnO微米线异质结紫外发光二极管。该二极管利用AgNWs修饰n‑ZnO:Ga微米线，提升其紫外发光效率，同时使其紫外发光稳定，该二极管为微米级光电器件，便于使用和制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 微米 线异质结 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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