[发明专利]基于离子轰击技术的亚波长表面纳米结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010063145.1 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111640651A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘颖;杨高元;蔡茂琦;洪义麟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311;C03C15/00;C23F1/02;C23F4/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种基于离子轰击技术的亚波长表面纳米结构及其制备方法，该制备方法包括：在一基底上涂覆光刻胶，经固化得到光刻胶薄膜样品；对所述光刻胶薄膜样品进行离子束轰击，在光刻胶表面形成亚波长纳米结构；刻蚀去除所述亚波长纳米结构底层的剩余光刻胶，将所述光刻胶薄膜样品刻蚀至基底，得到具有亚波长纳米结构的光刻胶掩模；将所述光刻胶掩模的亚波长纳米结构转移到基底上，去除图形转移后的剩余光刻胶掩模，得到基底上的亚波长表面纳米结构。本发明利用离子轰击技术在固体表面诱导产生自组织纳米结构的原理并结合掩模刻蚀方法，可在多种材料表面制备亚波长表面纳米结构，具有特征尺寸小、工艺简单、加工效率高的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 轰击 技术 波长 表面 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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