[发明专利]一种基于MoS2在审

专利信息
申请号: 202010063389.X 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111146318A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 岳文凯;白俊春;平加峰 申请(专利权)人: 江苏晶曌半导体有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 徐思波
地址: 221300 江苏省徐州市邳州市高新技术产*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种基于MoS2的薄层紫外发光二极管及其制备方法,所述基于MoS2的薄层紫外发光二极管包括自下而上依次设置的衬底、MoS2层、n型渐变Al组分AlGaN层、AlGaN量子阱层、p型渐变Al组分AlGaN层和p电极,所述n型渐变Al组分AlGaN层的侧上方设有n电极,所述MoS2层为多层平铺MoS2材料。本发明在MoS2上异质外延表面没有悬挂键,晶体质量高。本发明的外延方式为范德华外延,可在多种衬底实现外延生长。本发明基于MoS2的薄层紫外发光二极管整体厚度较小,应用领域广泛。
搜索关键词: 一种 基于 mos base sub
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