[发明专利]一种高亮度LED外延片的生长方法在审
| 申请号： | 202010063706.8 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111261753A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;张晓庆;黄旭 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 陈明鑫;蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高亮度LED外延片的生长方法。该方法包括：步骤S1、利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上形成基础GaN缓冲结构；步骤S2、在MOCVD腔体内进行高温低压处理形成GaN结晶；步骤S3、在MOCVD腔体内进行退火后，利用高温形成GaN的侧向和纵向生长，完成聚合填平过程；步骤S4、利用MOCVD设备，在聚合填平基础上继续生长Si掺杂的N型GaN基LED；步骤S5、在MOCVD腔体内继续进行高低温度交错生长多量子层，形成低温InGaN结构以及高温AlGaN结构交错重复生长，得到多层次交替的发光区结构，形成电子和空穴高效复合区域；步骤S6、利用MOCVD设备，在交错生长的多量子层上继续生长Mg掺杂P型GaN基LED。本发明能够有效提高对电子过量跃迁，达到更高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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