[发明专利]一种并二咔唑为电子给体的空穴传输材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010063944.9 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111153913B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 梁茂;刘建;薛松;孙喆;陈瑜;宗雪平 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C07D495/14 分类号: C07D495/14;H01L51/46;H01L51/42
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 谢观素
地址: 300300 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种并二咔唑为电子给体的空穴传输材料,及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用,所述空穴传输材料化学结构式如式GR‑10所示,其外围电子给体单元为并二咔唑,分子核为二噻吩并吡咯,能够有效确保空穴的高效分离与传输,还能能够有效阻挡电子从钙钛矿层跃迁至空穴传输层,抑制界面电子复合现象的发生;制备方法包括如下步骤:使式(1)化合物发生烷基化反应生成中间体(2);使中间体(2)发生取代反应生成中间体(3);使中间体(3)发生取代反应生成中间体(4);使式(5)化合物发生环合反应生成中间体(6);使中间体(6)发生取代反应生成中间体(7);使中间体(7)与中间体(4)发生偶联反应生成空穴传输材料GR‑10。
搜索关键词: 一种 二咔唑 电子 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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