[发明专利]发光二极管阵列有效
| 申请号： | 202010064109.7 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111223973B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/62;H01L33/20;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管阵列，包括：第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一上电极，形成在第一发光二极管的第二半导体层上，与第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及第二上电极，形成在第二发光二极管的第二半导体层上，与第二发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，第一上电极具有从第一发光二极管侧向第二发光二极管侧突出的突出部，突出部延伸到第二发光二极管上部而与第二发光二极管的第二半导体层电连接，第二上电极具有收容第一上电极的突出部的槽部，第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与第二发光二极管的第一半导体层接触，第一上电极的突出部向接触区域之间突出。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010064109.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
