[发明专利]一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管有效
| 申请号： | 202010065699.5 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244189B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王曦;钟艺文;蒲红斌;胡继超;王敏;张萌 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张皎 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，包括衬底，衬底上依次为n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上端面覆盖有阳极，衬底下端面覆盖有阴极，n‑SiC漂移区上表面靠近阳极位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区。本发明解决了现有技术中存在的SiC MPS二极管正向开启电压过高、通态电阻过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nio sic 异质结 mps 二极管 | ||
【主权项】：
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