[发明专利]一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极在审
| 申请号： | 202010065753.6 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN110975137A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张文超;李岩;赵文韬;柴永生;王琦 | 申请（专利权）人： | 烟台大学 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;B23K26/082;B23K26/352;B23K26/364;B23K26/60;B23K26/70 |
| 代理公司： | 山东重诺律师事务所 37228 | 代理人： | 邓东坡 |
| 地址： | 264005 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列，仿生微织构区域总长59.5 mm，其两端的直线型沟槽头部对齐，与穿刺端面的距离为0.5 mm，相邻列直线型沟槽交错分布，可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用；以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm，深度均为10µm，本发明可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线型 交错 阵列 仿生 微织构脑深部 刺激 套管 电极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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