[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 202010066304.3 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111490022B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黑川敦;小林一也 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/31;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够在安装于外部基板时，抑制电连接不良的产生的半导体元件。半导体元件具有：半导体基板；设置在半导体基板上的集电极层；设置在集电极层上的基极层；设置在基极层上的发射极层；与发射极层电连接的发射极布线；设置在发射极布线上的上部金属层；覆盖发射极布线以及上部金属层并且至少在与集电极层重叠的区域中设置有第一开口的第一保护膜；以及经由第一开口与发射极布线电连接的下部凸块金属层，且下部凸块金属层的俯视时的面积大于第一开口的面积的凸块，第一保护膜的端部包围第一开口、且设置在上部金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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