[发明专利]一种氧化钨单层纳米片及其制备方法与应用

摘要

本发明提供一种氧化钨单层纳米片及其制备方法与应用。本发明方法包括步骤：钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物的制备；钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物于200‑600℃下煅烧1‑4h，得WO3/MMO复合物；然后加入酸中，室温搅拌10‑15h，经过滤、洗涤、干燥得WO3·H2O单层纳米片。所获得的WO3·H2O单层纳米片可进一步于300‑450℃下低温煅烧0.5‑2h获得WO3单层纳米片。本发明制备方法操作简单、环境友好、易于工业化；所得氧化钨纳米片中的单层占比率高，解决了氧化钨单层纳米片大规模制备的技术难题；所制备得到的氧化钨纳米片具有良好的电催化析氢性能。