[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010066990.4 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111488028A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | V·科特尔茨 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及形成半导体器件的方法。在一个实施方案中，一种LDO电路被配置为增加流向所述LDO电路的误差放大器的偏置电流，并且随后响应于所述输出电流增加到大于阈值电流电平而将所述偏置电流恢复至较早的值。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司，未经半导体组件工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010066990.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
