[发明专利]一种探测器及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种探测器及其制作方法，包括：在SOI衬底上形成第一介质层；将所述第一介质层刻蚀至所述SOI表面，形成凹槽；在所述凹槽内形成探测层；在所述第一介质层和所述探测层上形成非晶硅层，由于在该探测层上形成非晶硅层，从而将该探测层进行了钝化，该非晶硅层可以阻止外界杂质向探测层上表面扩散，从而防止后续的沉积工艺过程中的离子损伤，为后续探测层表面注入时的缓冲层，降低注入对探测层的晶格损伤，从而降低该探测器的暗电流。