[发明专利]一种氯基宽带隙钙钛矿光吸收层的制备方法及其应用有效
申请号: | 202010069032.2 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111180580B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 熊杰;孙浩轩;晏超贻;王显福 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种氯基宽带隙钙钛矿光吸收层的制备方法及其应用,属于钙钛矿电池技术领域。本发明制备方法创新地设计一种动态旋涂‑退火多圈循环的制备手段,通过在连续沉积技术的过程中,利用溶质氯离子填补氯基钙钛矿本身晶格中的氯空位和基于微溶溶剂体系的晶粒熟化过程,使得钙钛矿结晶状况得到提高的同时减小本征缺陷态浓度。基于本发明方法制备的氯基钙钛矿光电探测器不仅具备蓝紫光选择性,其外量子效率和响应速度大大提升,在自驱动条件下外量子效率已经接近理论极限,可达90%;光电探测器的响应时间可提升至200纳秒。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽带 隙钙钛矿 光吸收 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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