[发明专利]高密度封装引线框架结构在审
| 申请号： | 202010069586.2 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111128945A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴勇军;张春辉 | 申请（专利权）人： | 吴勇军 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 415300 湖南省常德市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度封装引线框架结构，包括依次层叠设置的底部框架、至少一个引线框架和多个用于安装芯片且具有导电性的焊盘或凸起；每个所述引线框架包括自所述底部框架的顶面依次层叠设置的缓冲层和RDL线路层，所述焊盘或凸起设置于最远离所述底部框架的引线框架的RDL线路层上表面；所述缓冲层为低CTE值绝缘材料层，所述RDL线路层通过导通结构连接于所述底部框架的表面。本发明通过设置金属陶瓷混合型的引线框架结构，极大地解决了由于硅基与金属基板膨胀系数差值过大无法高密度安装芯片的问题，同时可以克服翘曲和均匀性不足这些缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 封装 引线 框架结构 | ||
【主权项】：
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