[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010069989.7 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420818A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 西胁达也;加藤浩朗;小林研也;可知刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够提高雪崩耐量的半导体装置。该半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电性的含金属部、绝缘部、栅极电极、第二电极、第一布线层、以及第二布线层。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域及含金属部设于第二半导体区域之上。绝缘部在第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。栅极电极以及第二电极设于绝缘部中。第一布线层隔着第一绝缘层设于含金属部的一部分及栅极电极之上，与栅极电极电连接。第二布线层与第一布线层分离地设置，与含金属部以及第二电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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