[发明专利]NLDMOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202010070128.0 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111261718A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NLDMOS器件，在第一导电类型的衬底上具有第一及第二深阱，所述第一深阱上具有场氧。所述第一导电类型的衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极，所述第一深阱中含有NLDMOS器件的漏区，所述第二深阱中含有第一导电类型的第三阱，第三阱中具有重掺杂的第二导电类型注入区以及重掺杂的第一导电类型注入区；所述第三阱及第一深阱中还具有第一导电类型的掺杂注入层；所述衬底表面具有层间介质，金属引线通过接触孔将NLDMOS器件的源区及漏区引出；所述第一深阱上方的场氧表面还具有漏区场板。所述多晶硅栅极上方的层间介质上还具有金属场板，所述金属场板的向下的投影位于多晶硅栅极的范围之内。本发明还公开了所述NLDMOS器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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