[发明专利]一种X射线二极管阴极污染程度的检测装置及检测方法有效

专利信息
申请号: 202010070855.7 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN111220656B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 王昆仑;张思群;周少彤 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;G01N21/17
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 熊曦
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种X射线二极管阴极污染程度的检测装置及检测方法,紫外灯用于产生光线使得待检测的阴极产生光电效应;真空光电管包括外壳、阴极和阳极;阴极引线一端固定在外壳上,阴极引线另一端穿透外壳与阴极块连接,阴极块封装在外壳内作为紫外响应不发生改变的参考物;阳极引线一端固定在外壳上,阳极引线另一端穿透外壳与阳极片连接,真空检测腔包括腔体和透紫外窗口,腔体具有中空结构,腔体用于安装透紫外窗口和X射线二极管、封闭真空和连接抽真空设备抽取真空;透紫外窗口为能够透过紫外线的方形或圆形板,利用本装置和方法,能够方便地检测X射线二极管阴极污染程度,有助于提高X射线二极管测量软X射线通量的可靠性和准确程度。
搜索关键词: 一种 射线 二极管 阴极 污染 程度 检测 装置 方法
【主权项】:
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