[发明专利]一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置在审
| 申请号： | 202010071227.0 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111291480A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高立博;卜建辉;高见头;赵发展;曾传滨;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及剂量率建模技术领域，具体涉及一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置。该方法包括：建立MOS器件的剂量率模型；根据所述MOS器件的沟道长度，设置所述MOS器件的漏端光电流。本发明在经过对现有的MOS器件剂量率模型进行分析研究，发现沟道长度对于剂量率也存在重要的影响，但现有的MOS器件剂量率模型并没有在建模时并没有考虑到沟道长度对于剂量率的影响，从而导致现有技术方案在计算剂量率效应敏感体积时不够精确，最终无法准确表征模拟MOS器件的剂量率效应。本发明在设置所述MOS器件的漏端光电流时，充分考虑到了MOS器件的沟道长度对剂量率效应的影响，从而准确地表征模拟出MOS器件的剂量率效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 剂量率 模型 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
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