[发明专利]一种半导体芯片及半导体激光器有效
| 申请号： | 202010071370.X | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111181000B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王小军;宗楠;彭钦军;许祖彦;杨晶;薄勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/14 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片及半导体激光器，该半导体芯片，用于设置在半导体激光器中，包括：至少一个增益区；每个所述增益区的上表面和下表面分别镀有电极；至少设置有一个所述电极的形状与激光在所述增益区内谐振的光路相匹配。一方面，本发明实施方式提供的半导体芯片，设置电极的形状与激光在增益区内谐振的光路匹配，可以实现增益区与外腔激光模式的高效交叠，另一方面，结构上可实现外腔增益长度远大于内腔增益长度和自发辐射放大(ASE)最大宽度，同时还可以配合镀膜技术，提高内腔激光阈值，从而抑制内腔激光和ASE，实现高效的高光束质量的外腔半导体激光输出。同时，无需刻蚀脊条，能降低成本且避免由此带来的芯片对外腔激光的调制效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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