[发明专利]复合薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 202010071732.5 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113224187A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;张涛 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜可以包括：衬底；第一隔离层，位于衬底的顶表面上；光学薄膜结构，位于第一隔离层上，并且包括由光调制层、光传输层和产生光的有源层形成的堆叠结构。有源层可以与光调制层和光传输层中的一者接触。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
