[发明专利]一种低温制备非晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途有效
申请号: | 202010072008.4 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111139452B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 宋志伟;褚卫国;徐丽华;闫兰琴 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种低温制备非晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途。所述低温制备非晶硅膜材料的方法包括:采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备非晶硅膜材料,气相沉积的温度≤100℃,所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功率≤300W。本发明的方法可以在100℃以下制备得到非晶硅膜材料,且得到的非晶硅膜材料具有良好的光学性能,在633nm波长对应的折射率为3.2~3.4,消光系数为0.0015~0.0025,在四英寸基底范围内薄膜均匀性好;其较现有等离子体增强化学气相沉积得到的非晶硅膜材料的沉积温度有明显降低,且可以在石英玻璃、金属薄膜以及有机柔性衬底上制备非晶硅材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 制备 非晶硅膜 材料 方法 得到 产品 用途 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心,未经国家纳米科学中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010072008.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法
- 下一篇:一种人体经络检测装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的