[发明专利]一种带有新型释放结构的谐振器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010072800.X 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN111224637A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 孙成亮;童欣;刘婕妤;周杰;谢英;邹杨 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/13 分类号: H03H9/13
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 许莲英
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种带有新型释放结构的谐振器及其制备方法,包括:衬底、中间介质层、压电层、电极、牺牲层、第一释放结构、第二释放结构、隔离层、空腔。本发明制备方法为将中间介质层形成于衬底上方,压电层形成于中间介质层上方;在压电层、中间介质层上形成封闭槽,进而形成第一释放结构;在第一释放结构中填充隔离层;在隔离层上形成多个槽孔构成第二释放结构;在第二释放结构中填充牺牲层,所述的牺牲层材料与中间介质层材料一致;在压电层上形成电极,所述电极可同时分布在所述压电层的上表面、下表面;通过第二释放结构释放隔离层内部的中间介质层及第二释放结构中的牺牲层,形成空腔。本发明能有效保证谐振器的稳定性。
搜索关键词: 一种 带有 新型 释放 结构 谐振器 及其 制备 方法
【主权项】:
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