[发明专利]4H-SiC MOSFET静态温度特性仿真分析方法在审
| 申请号： | 202010073170.8 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111324946A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王翠霞;曾亮;吴江枫;余有灵;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 同济大学;株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET静态温度特性仿真分析方法，确定4H‑SiC MOSFET的结构参数，利用Silvaco 平台生成相应的三维结构；通过仿真分析4H‑SiC MOSFET的输出特性和温度特性，得到温度对4H‑SiC MOSFET静态特性及其特征参数的影响规律。本发明基于Silvaco Tcad，建立了SiC MOSFET的三维器件模型，对不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性进行仿真，分析温度对其阈值电压、饱和漏电流、导通电阻等静态参数的影响规律，对于SiC器件在高温高压环境下的结构设计和制造具有重要的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 静态 温度 特性 仿真 分析 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学;株洲中车时代半导体有限公司，未经同济大学;株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010073170.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
