[发明专利]SiC MOSFET非线性器件的等效电路模型及方法

摘要

本发明公开了一种SiC MOSFET非线性器件的等效电路模型及方法，将SiC MOSFET的栅漏电容CGD等效为主回路和受主回路控制选择连通的恒容支路和变容支路；主回路上串联恒值电容C0、检测主回路电流的零值电压源EC和栅漏电压VGD等效的电压源；恒容支路和变容支路上分别设置一由栅漏电压VGD控制的压控开关，其中，恒容支路上的第二压控开关与SiC MOSFET的氧化层电容Coxd串联，第一压控开关与电压控电流源GC串联。采用本发明，使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征，拟合方式简单，避免了对栅漏电容物理层面的研究，与同类模型相比具有普适性，准确度高。