[发明专利]一种利用光调制提高硅纳米线传感器信噪比的方法及装置有效
| 申请号： | 202010073591.0 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111721709B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李铁;陈世兴;杨义;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N27/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用光调制提高硅纳米线传感器信噪比的方法及装置。方法包括，基于载波信号，确定硅纳米线传感器的光激励信号；基于所述光激励信号，获取所述硅纳米线传感器对所述被测物的调制信号；利用锁相放大器对所述载波信号和所述调制信号进行处理，获得所述硅纳米线传感器对所述被测物的目标响应信号。本发明所述的方法利用锁相放大器将硅纳米线传感器的目标物响应信号的信号频谱迁移到载波信号所在频率处，再进行放大，避开硅纳米线传感器噪声的干扰。可以大幅度提高硅纳米线传感器信噪比，增强传感器的抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 调制 提高 纳米 传感器 方法 装置 | ||
【主权项】：
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