[发明专利]一种利用光标定硅纳米线传感器的方法有效
| 申请号： | 202010073597.8 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111721710B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李铁;陈世兴;杨义;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N27/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 标定 纳米 传感器 方法 | ||
【主权项】：
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