[发明专利]获取掩膜版最优物平面方法和光学邻近修正方法及掩膜版在审
| 申请号： | 202010074597.X | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113219784A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 柏锋;张婉娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种掩膜版、获取掩膜版最优物平面的方法以及光学邻近修正的方法，获取最优物平面的方法包括：提供掩膜版信息，掩膜版信息包括若干物平面信息和掩膜版图形，掩膜版图形包括：主图形区和位于主图形区之间的辅助图形区；在第一区设置第一辅助图形；在第二区设置第二辅助图形；在第三区设置若干第三辅助图形；对掩膜版图形进行模拟曝光获取曝光图形，包括：第一曝光图形、第二曝光图形和第三曝光图形；通过第一曝光图形、第二曝光图形和第三曝光图形获取平均偏移量；获取物平面信息与曝光偏移量的关系模型；采用物平面信息与曝光偏移量的关系模型，通过平均偏移量获取最优物平面。所述方法获取的物平面较为准确。 | ||
| 搜索关键词： | 获取 掩膜版 最优 平面 方法 光学 邻近 修正 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
