[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010074732.0 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN112310053A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 川城史义 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/12;H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供成品率提高的半导体装置。半导体装置具备第1基体部件,具有第1侧面;第1绝缘板,设置于第1基体部件的上方;第1金属板,设置于第1绝缘板的上方;第1半导体芯片,设置于第1金属板的上方;第1接合部件,将第1金属板与第1半导体芯片接合;第2接合部件,将第1基体部件与第1绝缘板接合;第2基体部件,具有第2侧面;第2绝缘板,设置于第2基体部件的上方;第2金属板,设置于第2绝缘板的上方;第2半导体芯片,设置于第2金属板的上方;第3接合部件,将第2金属板与第2半导体芯片接合;第4接合部件,将第2基体部件与第2绝缘板接合;以及基体接合部,设置于第1侧面与第2侧面之间,第1侧面与第2侧面接合。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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