[发明专利]一种集成芯片及其制作方法和集成电路有效
申请号: | 202010075367.5 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN113161350B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 樊永辉;曾学忠;樊晓兵;许明伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/66 |
代理公司: | 深圳市博衍知识产权代理有限公司 44415 | 代理人: | 曾新浩 |
地址: | 518000 广东省深圳市华富街道莲花一*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。所述集成芯片包括相连接的砷化镓异质结双极晶体管和LC滤波器,砷化镓异质结双极晶体管包括衬底、外延层、发射极、基极、收集极、钝化层、第一金属层和第二金属层等,LC滤波器包括相连接的电感和电容,电感包括电感绕线和电感端口,电容包括下电极、电容介质和上电极,下电极与所述第一金属层、电感绕线通过同一道制程形成,上电极、第二金属层和电感端口通过同一道制程形成,所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合。本申请通过对砷化镓异质结双极晶体管和LC滤波器的集成减小芯片以及产品的体积,提高芯片的性能;还将晶体管和滤波器的相关金属结构同步制程,提高生产效率和芯片性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 芯片 及其 制作方法 集成电路 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的