[发明专利]一种非对称半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010075810.9 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111252730A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;李可为 | 申请（专利权）人： | 成都工业学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/033;H01L21/311;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11859 | 代理人： | 赵星;张文武 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称的半导体结构的制备方法，所述图案具有周期性或非周期性的图形，且图形两侧、图形周边或相邻图形间距大小不等。然后对衬底材料进行刻蚀，形成第一级沟槽图形，并在底部和侧壁形成钝化保护层，然后去除第一沟槽图形底部的钝化保护层，保持水平表面的正常刻蚀，形成第二级沟槽图形。通过重复上述步骤形成多层沟槽图形，最终形成非对称的半导体结构，且图形密度和相邻图形间距差距越大，非对称趋势越明显。本发明通过结构设计，利用深宽比依赖刻蚀效应(ARDE)，能够极大地克服现有加工方法的限制，并且无须引入复杂冗长的工艺步骤，即可采用常规的加工手段一次性地得到非对称的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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