[发明专利]晶体管装置以及用于操作晶体管装置的方法在审
| 申请号： | 202010076406.3 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111508953A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-京特·埃克尔;费利克斯·凯泽;陈光先 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了晶体管装置以及用于操作晶体管装置的方法。该方法包括在至少一个驱动周期中操作晶体管装置(3)。该晶体管装置包括硅基IGBT(1)和宽带隙半导体材料基MOSFET(2)，该IGBT(1)和该MOSFET(2)各自具有负载路径(11‑12，21‑22)并且IGBT(1)和MOSFET(2)的负载路径(11‑12，21‑22)并联连接。在至少一个驱动周期中操作晶体管装置包括在导通MOSFET(2)之前导通IGBT(1)并且在关断IGBT(1)之前关断MOSFET(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 以及 用于 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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