[发明专利]一种镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010077454.4 | 申请日： | 2020-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN111172577A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 尚伟;李雨晴;吴方;蒋世权;温玉清;何珊珊 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30;C23G1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜的制备方法。首先，将AZ91镁合金打磨、水洗，碱洗，水洗，超声波清洗。然后，配制微弧氧化电解液，将AZ91镁合金放入微弧氧化电解液中作为阳极进行微弧氧化处理，阴极为不锈钢，采用脉冲微弧氧化方式。最后，取出AZ91镁合金于50 ℃下干燥，即制得镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜。本发明方法操作简单，所制得的镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜呈多孔结构，孔隙率较小，表面平整，无微裂纹，孔径分布均匀，能够提高镁合金的耐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 表面 孔隙率 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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