[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010078352.4 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111697076A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能提高寄生二极管的反向恢复耐量的半导体装置。在有源区(1)的有效区(1a)设置有作为垂直型MOSFET的主半导体元件(11)和该主半导体元件的源极焊盘(21a)。在有源区的无效区(1b)中的半导体基板(10)的正面设置主半导体元件的栅极焊盘(21b)。在栅极焊盘的正下方的半导体基板(10)的正面的表面区域，遍及有源区的无效区(1b)的整个区域设置有p型区域(34b)。有源区的无效区(1b)的p型区域(34b)与源极焊盘(21a)电连接，在主半导体元件关断时由与n |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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