[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010078623.6 申请日: 2020-02-03
公开(公告)号: CN111681993A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 香月尚 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/492
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张欣;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供半导体装置,能抑制壳体与外部连接端子的界面处的剥离扩展。壳体(15)具备端子配置部(15b),该端子配置部具有从内壁面(15a2)向开口区域(15a1)突出的配置面(15b1),将正面(16a)的露出区域(16a1)露出,且埋设外部连接端子(16)的背面(16b)。此外,在壳体中,在外部连接端子的露出区域(16a1)中的1组对边的两侧的至少一部分,配置面(15b1)位于正面(16a)与背面之间而相对于正面(16a)构成阶梯差。在这种半导体装置(10)中,壳体不到达外部连接端子的正面(16a)的露出区域(16a1)。因此,密封树脂不流入到外部连接端子与壳体的边界处的剥离,抑制剥离进一步扩展。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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