[发明专利]非易失性存储器有效
| 申请号： | 202010078655.6 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111244187B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孙振华;温嘉敏;闫成员 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 518051 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种非易失性存储器。该存储器为顶栅型晶体管结构或底栅型晶体管结构；存储器包括栅极、绝缘层、电荷存储层、源/漏极及半导体层；其中，电荷存储层中离散分布有半导体核壳纳米晶结构，该半导体核壳纳米晶结构与该半导体层直接接触，电荷存储层设置为依据施加至所述栅极的电压极性不同实现电子和/或空穴的存储。本申请由于电荷存储层中离散分布有半导体核壳纳米晶结构，同时该半导体核壳纳米晶结构与半导体层直接接触，使得本申请的电荷存储层在俘获电荷时，电荷不需再经过一层绝缘层，即可快速且无损的到达电荷存储层。经验证，本申请的存储器件具有更快的擦写速度，信息擦写所用时间为≤50ns；具有更好的耐擦写性，耐擦写次数≥10 |
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| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
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