[发明专利]具有可调节的氧化硅和氮化硅去除速率的浅沟槽隔离化学机械平面化抛光有效
| 申请号： | 202010078712.0 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111500197B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥内尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 因此，提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。所述CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅；和用于提供可调节的氧化物膜去除速率和可调节的SiN膜去除速率的双重化学添加剂。化学添加剂包括至少一种含氮芳族杂环化合物和具有至少一种多于一个羟基官能团的非离子有机分子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调节 氧化 氮化 去除 速率 沟槽 隔离 化学 机械 平面化 抛光 | ||
【主权项】：
暂无信息
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