[发明专利]绝缘栅极型半导体装置在审
| 申请号： | 202010079044.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111725304A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 宫下博行 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种能够抑制单元间隔的增大、且能够抑制由于沟槽底部周边的下侧埋入区与上侧埋入区之间的相对位置的在制造工序中的偏移而导致的特性的偏差的绝缘栅极型半导体装置。绝缘栅极型半导体装置具备：第一导电型的载体输送层，其由禁带宽度比硅的禁带宽度宽的半导体材料形成；第二导电型的下侧埋入区，其埋入于载体输送层的上部；多个第二导电型的上侧埋入区，其分散地埋入于下侧埋入区上；第二导电型的注入控制区，其设置于上侧埋入区上；以及绝缘栅极构造，其对位于沟槽的侧壁的注入控制区的表面势进行控制，其中，在平面图案中，沟槽为条状，下侧埋入区具有与沟槽分离设置的第一条部，多个上侧埋入区分别间断性地设置于第一条部上。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010079044.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像单元以及图像形成装置
- 下一篇：磁传感器、检测装置及检测系统
- 同类专利
- 专利分类
