[发明专利]半导体晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010079601.1 | 申请日： | 2020-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113224158A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘昇旭;黄世贤;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体晶体管及其制作方法，其中该半导体晶体管包含一基底，具有第一导电型，其中所述基底具有一主表面；一离子阱，具有一第二导电型，位于所述基底中；彼此相区隔的一源极区和一漏极区，设于所述离子阱中，其中所述源极区和所述漏极区具有所述第一导电型；一外延通道层，具有所述第一导电型，从所述基底的所述主表面长出，并且位于所述源极区和所述漏极区之间；一栅极，设于所述外延通道层上；以及一栅极介电层，位于所述栅极和所述外延通道层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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