[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010080361.7 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113224159A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 萧逸璿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括:衬底，具有第一导电型；第一阱区，设置于所述衬底中且具有第二导电型；第二阱区，设置于所述衬底中且具有所述第一导电型；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，分别设置于所述第二阱区与所述第一阱区中；隔离结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间；栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上，其中所述栅极结构覆盖部分的所述隔离结构；第一顶掺杂区，设置于所述源极区下方的所述第二阱区中且具有所述第一导电型；以及第二顶掺杂区，设置于所述隔离结构下方的所述第一阱区中且具有所述第一导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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