[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010080553.8 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113224160A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周寻;杨光;欧阳锦坚 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含：一基底，包含一主动区域和至少一虚设区域；一第一绝缘区域，隔绝所述主动区域；一第二绝缘区域，隔绝所述至少一虚设区域；一晶体管，设于所述主动区域上，其中所述晶体管包含一栅极，穿越所述主动区域、一源极区域，设于所述栅极的第一侧的所述主动区域内、和一漏极区域，设于栅极的第二侧的所述主动区域内；一源极应力层，设于所述源极区域内；一漏极应力层，设于所述漏极区域内；以及一虚设应力层，设于所述至少一虚设区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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